DRAMのTCSR(Temperature Compensated Self Refresh)

最終更新日 2024年10月23日

基礎

DRAMのTCSRとはTemperature Compensated Self Refreshの略で、温度センサーを使用してDRAMの温度を測定し、DRAMの温度に合わせてリフレッシュ間隔を調整する技術です。日本語では温度補償型セルフリフレッシュです。

温度によって変わるリフレッシュ間隔

DRAMへのメモリーアクセスが多い場合、DRAMの温度が上がり電荷がなくなるまでの時間が短くなるため、リフレッシュ間隔を短くします。DRAMへのメモリーアクセスが少ない場合、DRAMの温度があまり上がらず電荷がなくなるまでの時間が長くなるため、リフレッシュ間隔を長くします。リフレッシュ間隔が長くなることにより消費電力と発熱が減りますが、これもリフレッシュ間隔を長くできることに貢献します。

・ASCII.jp：Mobile RAMからWideIOへ モバイル向けメモリーの進化 (2/4)(2011/06/06更新記事)

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