SOI(Silicon On Insulator)とは？

最終更新日 2023年09月07日

高性能、低電力を支える製造技術、65nm、45nmでもSOIを採用 | 日経クロステック（xTECH） には、以下のとおり書かれています。(この記事の公開年月日は2007/12/12)

　従来型のCMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）半導体集積回路は、シリコン基板の表面に直接形成されているので、CMOS回路とシリコン基板の間にリーク（漏れ）電流や「寄生キャパシター」が存在している。この「寄生」とは、本来は不要なのに構造上キャパシターとして機能してしまう状態になる、という意味だ。寄生キャパシターは不要な電荷の蓄積のことを指している。そこで、CMOS回路とシリコン基板の間に、電気的絶縁性を有するシリコン酸化物の層を挟めば、リーク電流や寄生キャパシターを抑えられる。これがSOI構造の基本的な考え方である。

SOI(Silicon On Insulator)とは、リーク(漏れ)電流や寄生キャパシターを抑えるCPU製造技術のようです。

同記事のさらなる解説によると、同一電力で比較するとSOIによって性能が30%向上し、同一性能で比較すると消費電力が25%下がるそうです。

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