SOI(Silicon On Insulator)とは?
最終更新日
2023年09月07日
SOI(Silicon On Insulator)とは何か
高性能、低電力を支える製造技術、65nm、45nmでもSOIを採用 | 日経クロステック(xTECH)
には、以下のとおり書かれています。(この記事の公開年月日は2007/12/12)
同記事のさらなる解説によると、同一電力で比較するとSOIによって性能が30%向上し、同一性能で比較すると消費電力が25%下がるそうです。
従来型のCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)半導体集積回路は、シリコン基板の表面に直接形成されているので、CMOS回路とシリコン基板の間にリーク(漏れ)電流や「寄生キャパシター」が存在している。この「寄生」とは、本来は不要なのに構造上キャパシターとして機能してしまう状態になる、という意味だ。寄生キャパシターは不要な電荷の蓄積のことを指している。そこで、CMOS回路とシリコン基板の間に、電気的絶縁性を有するシリコン酸化物の層を挟めば、リーク電流や寄生キャパシターを抑えられる。これがSOI構造の基本的な考え方である。SOI(Silicon On Insulator)とは、リーク(漏れ)電流や寄生キャパシターを抑えるCPU製造技術のようです。
同記事のさらなる解説によると、同一電力で比較するとSOIによって性能が30%向上し、同一性能で比較すると消費電力が25%下がるそうです。
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