トランジスターのMBCFET

最終更新日 2024年03月01日

基礎

トランジスターのMBCFETとはMulti Bridge Channel Field Effect Transistorの略で、GAAFETを改良したトランジスターです。

GAAFETのチャネルは、断面の直径が約1nmのワイヤー型です。これでは十分な電流が流れません。そこでMBCFETのチャネルでは、薄くて長いシート型にしています。この改良のおかげでGAAFETよりも電力効率が向上します。

GAAFET

GAAFETとはGate All Around Field Effect Transistorの略で、電流が流れる4面のチャネルをゲートが囲む構造のトランジスターです。

・GAA構造 | サムスン半導体日本

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