メモリーセルの多値記憶技術

最終更新日 2023年09月14日

基礎

メモリーセルの多値記憶技術とは、1つのメモリーセルに電圧レベルのしきい値を複数設定し、2ビット以上の値を記憶させる技術です。タチキオクギジュツと読みます。

用語

メモリーセルとは、メモリーを構成している要素です。

電荷の量で判定

メモリーセルが記憶しているデータを電圧レベルで判定しますが、言い換えてメモリーセルに入っている電荷の量で判定とイメージするとわかりやすいです。例えば1ビットのデータを記憶の場合、メモリーセルに電荷があれば1、電荷がなければ0と判定します。2ビットのデータを記憶の場合、電荷の量が75%以上あれば11、50%以上75%未満まであれば10、25%以上50%未満まであれば01、0%以上25%未満であれば00と判定します。

SLC,MLC,TLC,QLC

NAND型フラッシュメモリーが登場当初、1個のメモリーセルに1ビット記憶するSLC(Single Level Cell)でした。2011年に1個のメモリーセルに2ビット記憶するMLC(Multi Level Cell)、2016年に1個のメモリーセルに3ビット記憶するTLC(Triple Level Cell)、2018年に1個のメモリーセルに4ビット記憶するQLC(Quad Level Cell)が登場しました。

多値記憶のメリット、デメリット

1個のメモリーセルに記憶するビット数が多いほど、同じ面積当たりの容量が増えるため容量当たりの価格が安くなるメリットがあります。一方でデータ読み書き速度が遅くなる、書き換え可能回数が小さくなる、以上のデメリットがあります。書き換え可能回数が小さくなるデメリットが深刻そうですが、大容量化等により書き換え頻度が低下しているため、大きなデメリットではありません。

・多値記憶技術 - 意味・説明・解説 : ASCII.jpデジタル用語辞典(2008/04/16更新記事)
・進化したQLC NAND採用SSDが急速拡大中！従来のTLC NANDの違いとは？ (1/2)(2021/08/31更新記事)

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