インテルCPUのHMOS(High density, short channel MOS)
最終更新日
2024年02月24日
インテルCPUのHMOS(High density, short channel MOS)とは
基礎
インテルCPUのHMOSとはHigh density, short channel MOSの略で、チャネル長を短くし高密度化した回路です。HMOSがHigh-density MOSの略とする場合もあります。High-speed MOSやHigh-performance MOSの略ではない
HMOSはHigh-speed MOSやHigh-performance MOSの略ではありません。HMOSはDepletion-load NMOSに該当するので、これを考慮してHigh-speed MOSやHigh-performance MOSの略とする場合が見られると思われます。Depletion-load NMOSとは、ゲートに加える電圧がゼロのときにスイッチがオンになるNMOSを使用し、スイッチング速度を高速化する回路です。日本語ではディプリーション負荷NMOSです。この回路を改良しチャネル長を短くし高密度化した回路がHMOSです。
HMOS-I/II/III
HMOSには、HMOS-I、HMOS-II、HMOS-IIIがあります。最初に登場したときのHMOSがHMOS-I、HMOS-Iを改良したものがHMOS-II、HMOS-IIを改良したものがHMOS-IIIです。HMOS-I、HMOS-II、HMOS-III、それぞれに決まったプロセスルールがありません。例えばHMOS-II採用モデルのプロセスルールが3μmの場合もあれば2μmの場合もあります。この理由は回路の改良とシュリンクが同じタイミングとは限らなかったためです。
出典
・ASCII.jp:半導体プロセスまるわかり インテルから学ぶプロセスの歴史 (2/3)(2014/02/10更新記事)
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