トランジスターのRibbonFET
最終更新日
2024年02月28日
トランジスターのRibbonFETとは
基礎
トランジスターのRibbonFETとは、GAAFETのインテルでの呼び方です。GAAFETとはGate All Around Field Effect Transistorの略で、電流が流れる4面のチャネルをゲートが囲む構造のトランジスターです。電力効率が高い特徴があります。
RibbonFETはMBCFETに近い
RibbonFETはMBCFETに近いです。MBCFETとはMulti Bridge Channel Field Effect Transistorの略で、GAAFETを改良したトランジスターです。GAAFETのチャネルは、断面の直径が約1nmのワイヤー型です。MBCFETのチャネルは、薄くて長いシート型です。RibbonFETもチャネルが薄くて長いシート型です。そのため、RibbonFETとは、MBCFETのインテルでの呼び方とも言えます。出典
・ASCII.jp:インテルがプロセスの命名規則を変更した理由と今後の展望 インテル CPUロードマップ (2/3)(2021/08/02更新記事)
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