メモリーモジュールのスタブ抵抗

最終更新日 2024年04月16日

基礎

メモリーモジュールのスタブ抵抗とは、オーバーシュートやアンダーシュートを抑えるための抵抗です。スタブ・テイコウと読みます。

メモリーモジュール高速化でスタブ抵抗が必要に

メモリーモジュールの性能を高めるために信号のクロック周波数を高めてきました。その弊害としてオーバーシュートやアンダーシュートが発生するようになりました。メモリーモジュールでは信号の電圧がHighのとき0、Lowのとき1と判別しますが、オーバーシュートは電圧がHighの既定値を上回る現象、アンダーシュートはLowの既定値を下回る現象です。

多少のオーバーシュートやアンダーシュートなら問題ありませんが、大きくなるとメモリーモジュールが故障する場合があります。配線の分岐点で信号が反射し、エラーが発生する場合もあります。スタブ抵抗によりオーバーシュートやアンダーシュートが小さくなり、これらの問題が解決します。

・信頼性の高いメモリーとそうでないメモリーの見分け方 | 日経クロステック（xTECH）(2007/01/22公開記事)

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