トランジスターのRibbonFET

最終更新日 2024年02月28日

基礎

トランジスターのRibbonFETとは、GAAFETのインテルでの呼び方です。

GAAFETとはGate All Around Field Effect Transistorの略で、電流が流れる4面のチャネルをゲートが囲む構造のトランジスターです。電力効率が高い特徴があります。

RibbonFETはMBCFETに近い

RibbonFETはMBCFETに近いです。MBCFETとはMulti Bridge Channel Field Effect Transistorの略で、GAAFETを改良したトランジスターです。GAAFETのチャネルは、断面の直径が約1nmのワイヤー型です。MBCFETのチャネルは、薄くて長いシート型です。RibbonFETもチャネルが薄くて長いシート型です。そのため、RibbonFETとは、MBCFETのインテルでの呼び方とも言えます。

・ASCII.jp：インテルがプロセスの命名規則を変更した理由と今後の展望　インテル CPUロードマップ (2/3)(2021/08/02更新記事)

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