トランジスターのMOSFET(モスフェット)
最終更新日
2023年11月25日
トランジスターのMOSFET(モスフェット)とは
基礎
トランジスターのMOSFETとはMetal Oxide Semiconductor Field Effect Transistorの略で、半導体表面に形成した酸化膜を介して制御用ゲートから電圧を加えるFETです。モスフェットと読みます。MOSトランジスターと呼ぶ場合もあります。モストランジスターと読みます。モス電界効果トランジスターと呼ぶ場合もあります。FETとはField Effect Transistorの略で、2つの電極間に流れる電流を、両者の中間にある制御用ゲートの電極に加える電圧の大きさで制御するトランジスターです。エフイーティーと読みます。制御用ゲートと半導体の間に酸化膜があるFETがMOSFETです。
MOSFETの構造
NチャネルMOSFETの構造図
ゲート電極 | ||
---|---|---|
| | ||
ソース電極 | ゲート | ドレイン電極 |
| | 酸化膜 | | |
N型半導体 ソース |
(-)(-)(-) | N型半導体 ドレイン |
P型半導体 | ||
| | ||
基板電極 |
上図はNチャネルMOSFETの構造です。N型半導体とP型半導体を入れ替えるとPチャネルMOSFETの構造です。
電圧をかけると電流が流れ、電圧をかけないと電流が流れない
ゲートとP型半導体の間に酸化膜を挟むことによって、この間がコンデンサーの働きをします。ゲートにしきい値以上の電圧をかけると、コンデンサーの働きをするため、P型半導体の酸化膜付近に自由電子の層が発生します。この状態がトランジスターのスイッチオン状態です。ドレインとソース間に電圧をかけると、N型半導体にある自由電子と組み合わさりソースからドレインに自由電子が流れます。ドレインからソースに電流が流れます。
ゲートにしきい値以上の電圧をかけないと、P型半導体の酸化膜付近に自由電子の層が発生しません。この状態がトランジスターのスイッチオフ状態です。ソースからドレインに自由電子が流れません。ドレインからソースに電流が流れません。
出典
・MOSFET(MOSトランジスタ) | 時事用語事典 | 情報・知識&オピニオン imidas - イミダス(2011/02公開記事)
・「MOSFET」ってどうなってるの?(2ページ目) | 日経クロステック(xTECH)(2016/11/04公開記事)
・「MOSFET」ってどうなってるの?(2ページ目) | 日経クロステック(xTECH)(2016/11/04公開記事)
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