トランジスターのMOSFET(モスフェット)

最終更新日 2023年11月25日

トランジスターのMOSFET(モスフェット)とは

基礎

トランジスターのMOSFETとはMetal Oxide Semiconductor Field Effect Transistorの略で、半導体表面に形成した酸化膜を介して制御用ゲートから電圧を加えるFETです。モスフェットと読みます。MOSトランジスターと呼ぶ場合もあります。モストランジスターと読みます。モス電界効果トランジスターと呼ぶ場合もあります。

FETとはField Effect Transistorの略で、2つの電極間に流れる電流を、両者の中間にある制御用ゲートの電極に加える電圧の大きさで制御するトランジスターです。エフイーティーと読みます。制御用ゲートと半導体の間に酸化膜があるFETがMOSFETです。

MOSFETの構造

NチャネルMOSFETの構造図

  ゲート電極  
  |  
ソース電極 ゲート ドレイン電極
| 酸化膜 |
N型半導体
ソース
(-)(-)(-) N型半導体
ドレイン
  P型半導体  
  |  
  基板電極  
(※)(-):自由電子

上図はNチャネルMOSFETの構造です。N型半導体とP型半導体を入れ替えるとPチャネルMOSFETの構造です。

電圧をかけると電流が流れ、電圧をかけないと電流が流れない

ゲートとP型半導体の間に酸化膜を挟むことによって、この間がコンデンサーの働きをします。

ゲートにしきい値以上の電圧をかけると、コンデンサーの働きをするため、P型半導体の酸化膜付近に自由電子の層が発生します。この状態がトランジスターのスイッチオン状態です。ドレインとソース間に電圧をかけると、N型半導体にある自由電子と組み合わさりソースからドレインに自由電子が流れます。ドレインからソースに電流が流れます。

ゲートにしきい値以上の電圧をかけないと、P型半導体の酸化膜付近に自由電子の層が発生しません。この状態がトランジスターのスイッチオフ状態です。ソースからドレインに自由電子が流れません。ドレインからソースに電流が流れません。

出典

MOSFET(MOSトランジスタ) | 時事用語事典 | 情報・知識&オピニオン imidas - イミダス(2011/02公開記事)
「MOSFET」ってどうなってるの?(2ページ目) | 日経クロステック(xTECH)(2016/11/04公開記事)


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