トランジスターのFET(Field Effect Transistor)

最終更新日 2023年11月25日

トランジスターのFET(Field Effect Transistor)とは

基礎

トランジスターのFETとはField Effect Transistorの略で、2つの電極間に流れる電流を、両者の中間にある制御用ゲートの電極に加える電圧の大きさで制御するトランジスターです。エフイーティーと読みます。日本語では電界効果トランジスターと呼びます。

FETの構造

接合型かつN型FETの構造

      ←ドレイン電流←      
ソース -   N型半導体   - ドレイン
      P型半導体      
      |      
      ゲート      
      ↑ゲート電圧      

FETには様々な種類があります。上図は接合型かつN型FETの構造です。N型半導体とP型半導体を入れ替えると、接合型かつP型FETの構造です。

ゲート電圧が高いほどドレイン電流が流れなくなる

ゲートにかける電圧をゲート電圧と呼びます。ドレインからソースに流れる電流をドレイン電流と呼びます。ゲート電圧が0Vだと最大のドレイン電流が流れます。ゲート電圧が高くなるほどドレイン電流が流れなくなり、ある程度以上のゲート電圧ではドレイン電流が流れなくなります。

出典

電界効果トランジスタ(FET) | 時事用語事典 | 情報・知識&オピニオン imidas - イミダス(2008/03公開記事)
ASCII.jp:半導体プロセスまるわかり デジタル回路を構成するトランジスタ (2/3)(2014/01/20更新記事)


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