EDO DRAM(Extended Data Out DRAM)

最終更新日 2024年10月08日

基礎

EDO DRAMとはExtended Data Out DRAMの略で、データ読み出しの効率を高めて、FPM DRAMよりも高速なアクセスを実現したDRAMです。イーディーオーディーラムと読みます。

FPM DRAM

FPM DRAMとはFast Page Mode DRAMの略で、同じ行アドレスのメモリーセルに対しては、列アドレスだけを指定して次々にアクセスし高速化を実現するDRAMです。CPUの高速化によりFPM DRAMでも遅くなり、そこで登場したのがEDO DRAMです。

基本的な構造

EDO DRAMの構造を大まかに見ていきます。大まかなので省略している信号線等があります。

データ転送時間と待機時間をオーバーラップ

FPM DRAMを改良したものがEDO DRAMです。FPM DRAMにおいてメモリーセルにアクセスする大まかな流れの一部を見ます。

CAS線を有効にする→データを転送する→データの転送が終わる→CAS線を無効にする→一定時間待機する

これを繰り返します。CASとはColumn Address Strobeの略で、特定のメモリーセルにアクセスする際、アクセスする列アドレスを指定するタイミングを示すために出力する信号です。FPM DRAMではデータの転送が終わるまでCAS線を有効にしておく必要があります。

EDO DRAMにはCASを保持する回路があります。そのため、データの転送が終わるまでCAS線を有効にしておく必要がありません。メインメモリーがCASを認識したらCAS線を無効にします。そうすれば、データを転送している時間と一定の待機時間をオーバーラップできます。これにより次にデータを転送するまでの時間を短縮でき高速化できます。

データ転送中に次の列アドレスを指定

EDO DRAMでは、列アドレスで指定したメモリーセルからデータを転送中に、次にアクセスするメモリーセルの列アドレスを指定します。そのため、センスアンプとデータ線の間にデータ出力バッファーを追加しています。

列アドレスで指定したメモリーセルから、すぐにデータ出力バッファーにデータを格納します。データ出力バッファーからデータ線を通してデータを転送します。このおかげでデータ転送中でも次にアクセスするメモリーセルの列アドレスを指定できます。これも次にデータを転送するまでの時間の短縮に貢献します。

・EDO DRAM - 意味・説明・解説 : ASCII.jpデジタル用語辞典(2008/10/07更新記事)
・EDO DRAM 鈴木直美の「PC Watch先週のキーワード」(1998/07/01公開記事)
・非同期アクセスで、メモリーはEDOまで発展した（2ページ目） | 日経クロステック（xTECH）(2020/03/26公開記事)

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