フラッシュメモリーの不良メモリーセル

最終更新日 2023年09月19日

基礎

フラッシュメモリーの不良メモリーセルとは、データ読み書きできないメモリーセルです。フリョウメモリーセルと読みます。バッドメモリーセルと呼ぶ場合もあります。

不良メモリーセル存在のブロックを不良ブロックとし使用不可にする

メモリーセルに対し正常にデータ書き込みできなかった場合、そのメモリーセルを不良メモリーセルとします。不良メモリーセルがあるブロックを不良ブロックとし使用不可にします。

メモリーセルから正常にデータを読み込めなくても、フラッシュメモリーには誤り訂正機能があるため、結果としてデータを読み込める場合があります。512バイト当たり2〜4個程度の誤りなら訂正できます。2011年頃には512バイト当たり8個程度の誤りを訂正できることが実現する可能性があります。

正常にデータを読み込めない不良メモリーセルの数が訂正可能な誤り数を超えると、制御チップによっては不良メモリーセルが存在するブロックを不良ブロックとし使用不可にします。

出典
・なぜ消えるのか、劣化するのか（8ページ目） | 日経クロステック（xTECH）(2009/11/19公開記事)

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