メモリータイミングのtCAS

最終更新日 2024年12月20日

基礎

メモリータイミング のtCASとはtime CAS Latencyの略で、メモリーアクセス時に、列アドレスを指定するリードコマンドを出しデータを読み出してから、読み出したデータを出力するまでの時間です。

メモリーアクセスの大まかな流れ

下記は、メモリーアクセスの大まかな流れです。

(1)行アドレスを指定するアクティブコマンドを出す
(2)列アドレスを指定するリードコマンドを出しデータを読み出す
(3)読み出したデータを出力する
(4) プリチャージ を指示するプリチャージコマンドを出す
(5)行アドレスを指定する次のアクティブコマンドを出す

(1)から(2)までの時間が tRCD(time RAS to CAS Delay) です。(2)から(3)までの時間がtCAS(time CAS Latency)です。(1)から(4)までの時間がtRAS(time Row Address Strobe)です。(4)から(5)までの時間がtRP(time Row Precharge)です。

・ASCII.jp：ベンチマークテストで確認――DDR2 (3/4)(2005/02/14更新記事)

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