USBメモリーのSLC,MLC,TLC,QLC

最終更新日 2023年09月07日

基礎

USBメモリーのSLC,MLC,TLC,QLCとは、NAND型フラッシュメモリーを構成するメモリーセルの種類です。それぞれエスエルシー、エムエルシー、ティーエルシー、キューエルシーと読みます。それぞれ略さないで書くと、Single Level Cell、Multi Level Cell、Triple Level Cell、Quad Level Cellです。

SLCは1ビットのデータを記憶します。MLCは2ビットのデータを記憶します。TLCは3ビットのデータを記憶します。QLCは4ビットのデータを記憶します。

メモリーセルに注入する電荷量の要求精度の低さ、データ書き込み速度の速さ、耐久性の高さ、以上に優れている順に並べると、SLC、MLC、TLC、QLCです。大容量化のしやすさ、容量当たりの価格の安さ、以上に優れている順に並べると、QLC、TLC、MLC、SLCです。

用語

NAND型フラッシュメモリーとは、1987年に東芝が開発したフラッシュメモリーです。不揮発性メモリーであり、電力供給がなくてもデータを保持できます。NOR型フラッシュメモリーと比較するとデータ書き込み速度やデータ消去速度が速く、回路規模が小さいので低コストで大容量化を実現できます。

メモリーセルとは、NAND型フラッシュメモリーを構成している要素です。記憶セルと呼ぶ場合もあります。

書き換え回数の上限

NAND型フラッシュメモリーには書き換え回数の上限があります。SLCは10万回、MLCは1万回、TLCは5,000回、QLCは1,000回です。これは理論値です。同じ種類、例えば同じQLCでも様々なモデルがあり、モデルによって書き換え回数の上限が異なります。書き換え回数の上限を超えたら直ちに故障するわけではありません。書き換え回数の上限を超えたUSBメモリーは寿命が近いので、新しいUSBメモリーに交換するとよいです。

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