フラッシュメモリーのSLCとMLCの違い

最終更新日 2023年09月07日

基礎

フラッシュメモリーのSLCとMLCの違いとは、記憶できるデータ量がSLCは1セル当たり1ビット、MLCは1セル当たり2ビット以上です。

MLCはSLCよりも大容量化しやすい、容量当たりの価格を安くできる、以上のメリットがあります。MLCはSLCよりもデータ書き込み速度が遅い、耐久性が低い、データ保持期間が短い、以上のデメリットがあります。

耐久性を示すデータ書き換え可能回数が、SLCは10万回程度、MLCは5千〜1万回程度です。データ保持期間が、SLCは10年程度、MLCは5年程度です。

記憶できるデータ量がMLCは1セル当たり2ビットとする場合もあります。この場合、TLCは1セル当たり3ビット、QLCは1セル当たり4ビットです。

SLCはSingle Level Cellの略、MLCはMulti Level Cellの略、TLCはTriple Level Cellの略、QLCはQuad Level Cellの略です。

出典
・なぜ消えるのか、劣化するのか（3ページ目） | 日経クロステック（xTECH）(2009/11/19公開記事)
・【USBメモリー編】放置厳禁！データの“自然蒸発”に要注意（3ページ目） | 日経クロステック（xTECH）(2010/05/25公開記事)

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