NAND型フラッシュメモリーのTLC
最終更新日
2024年04月17日
NAND型フラッシュメモリーのTLCとは
基礎
NAND型フラッシュメモリーのTLCとはTriple Level Cellの略で、NAND型フラッシュメモリーを構成する、かつ3ビットのデータを記憶するメモリーセルです。ティーエルシーと読みます。トリプルレベルセルと呼ぶ場合もあります。TLCのメリット、デメリット
2ビットのデータを記憶するMLCと比べるとTLCには、大容量化しやすい、容量あたりの価格が安い、以上のメリットがあります。メモリーセルに注入する電荷量の要求精度が高い、データ書き込み速度が遅い、耐久性が低い、以上のデメリットがあります。出典
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