メインメモリーのCASレイテンシ

最終更新日 2021年06月07日

メインメモリーのCASレイテンシ

CASレイテンシとは、メインメモリーがデータ読み書きをする命令を受け取って実行するまでの時間です。

CL=5等のように数値で示し、CLはCas Latencyの略です。

CLの数値が小さいほど、データ読み書きを高速に行えます。

CASレイテンシは、CL=5, 5-5-5-15等のように示す場合もありますが、 後者に並ぶ数値はメモリータイミングと呼び、tCAS-tRCD-tRP-tRASの順です。

メモリータイミングの各数値の意味についてですが、その前にメインメモリーがデータ読み書きをする命令を受け取って実行する流れを、もう少し詳しく見ていきます。

メインメモリーのCASレイテンシとメモリータイミング

メインメモリーには、1ビットのデータを記憶する記憶素子が格子状に配置されており、特定の記憶素子へアクセスしデータ読み書きを行う場合、記憶素子の位置を示す行と列を指定する必要があります。

まずは行を指定し次に列を指定しますが、この間にかかる時間がtRCDです。

列を指定してから、記憶素子へアクセスしデータ読み書きが行われるまでにかかる時間がtCASです。

tCASがCASレイテンシですので、tCASとCLの数値は同じになります。

別の記憶素子へアクセスする場合、今アクセスしている記憶素子へのアクセスを終了しますが、行を指定してから記憶素子へのアクセスを終了するまでにかかる最小時間がtRASです。

記憶素子へのアクセスを終了してから、別の行を指定するまでにかかる時間がtRPです。

行を指定 列を指定 記憶素子へアクセスしデータ読み書き アクセス終了 別の行を指定
| tRCD | tCAS |   | tRP |
| tRAS |    

メインメモリーのCASレイテンシ、メモリータイミングの単位

CASレイテンシ、メモリータイミングの単位は、バスクロックの1クロック時間です。

バスクロックとは、メインメモリーとCPUの間で、データをやり取りするタイミングを合わせるために利用するクロックです。

CASレイテンシやメモリータイミングが同じ数値でも、バスクロックの周波数が変われば1クロック時間も変わりますので、CASレイテンシ、メモリータイミングの時間の長さも変わります。

例えば、CL=20、バスクロックの周波数が2000MHzの場合、1クロック時間は1÷2000MHz=0.5ns、CASレイテンシの時間の長さは0.5ns×20=10nsです。

CL=10、バスクロックの周波数が1000MHzの場合、1クロック時間は1÷1000MHz=1ns、CASレイテンシの時間の長さは1ns×10=10nsです。

両者はCLの数値、バスクロックが異なりますが、CASレイテンシの時間の長さが同じです。

メインメモリーのCASレイテンシ、メモリータイミングと性能

CASレイテンシ、メモリータイミングはメインメモリーによって異なりますが、異なっていても体感できるほどデータ読み書きの速さに差が出ません。

例えば、メモリー規格がDDR3 SDRAM、モジュール規格(チップ規格)がPC3-12800(DDR3-1600)のメインメモリーの場合、バスクロックは800MHzであり、1クロック時間は1÷800MHz=1.25nsです。

CASレイテンシ、メモリータイミングの数値が10違っても、約10nsほどの違いしか出ません。

メインメモリーのCASレイテンシ、メモリータイミングとマルチチャンネル

マザーボードは、CASレイテンシ、メモリータイミングに関しては対応に制限がありません。

ただし、CASレイテンシ、メモリータイミングの数値が異なるメインメモリーを組み合わせ、複数のメインメモリーを使用してデータ転送速度を向上させる技術マルチチャンネルを利用すると、エラー等の問題が発生しマルチチャンネルを利用できないことがあります。


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