NAND型フラッシュメモリーのQLC

最終更新日 2024年04月17日

NAND型フラッシュメモリーのQLCとは

基礎

NAND型フラッシュメモリーのQLCとはQuad Level Cellの略で、NAND型フラッシュメモリーを構成する、かつ4ビットのデータを記憶するメモリーセルです。キューエルシーと読みます。クアッドレベルセルと呼ぶ場合もあります。

QLCのメリット、デメリット

3ビットのデータを記憶するTLCと比べるとQLCには、大容量化しやすい、容量あたりの価格が安い、以上のメリットがあります。メモリーセルに注入する電荷量の要求精度が高い、データ書き込み速度が遅い、耐久性が低い、以上のデメリットがあります。

コラム

SLC、MLC、TLC、QLCの特徴の一覧

下表は、SLC、MLC、TLC、QLC、それぞれの記憶ビット数、書き換え可能回数の一覧です。

種類 記憶
ビット数
書き換え
可能回数
SLC 1ビット 10万回
MLC 2ビット 1万回
TLC 3ビット 3000回
QLC 4ビット 1000回

QLCの書き換え可能回数が小さいことが目立ちますが、これがQLCの耐久性が低い要因です。SSDではウェアレベリング等により書き換え回数を抑えていますので、QLCを採用するSSDでも気にする必要がありません。

出典

QLC(キューエルシー)の意味・使い方をわかりやすく解説 - goo国語辞書
2019年型PCはSSDに注目、QLC搭載機が話題に | 日経クロステック(xTECH)(2018/11/05公開記事)


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